Transistor a canale N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Transistor a canale N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.50fr
5-24
2.18fr
25-49
2.04fr
50+
1.90fr
Quantità in magazzino: 22

Transistor a canale N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 130pF. Funzione: Yfs--8-16S. ID (min): 10uA. Id(imp): 75A. Marcatura sulla cassa: K2507. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 110 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (L2-TT-MOSV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2507
30 parametri
ID (T=25°C)
25A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.046 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
900pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
130pF
Funzione
Yfs--8-16S
ID (min)
10uA
Id(imp)
75A
Marcatura sulla cassa
K2507
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
110 ns
Tecnologia
Tipo MOS ad effetto di campo (L2-TT-MOSV)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
0.8V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Toshiba