Transistor a canale N 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1800pF. Costo): 105pF. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 80 ns. Td(spento): 140 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31