Transistor a canale N 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Diodo Trr (min.): 1.6us. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Marcatura sulla cassa: K2611. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 95 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31