Transistor a canale N 2SK2645, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Costo): 150pF. Diodo Trr (min.): 550 ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10nA. Id(imp): 32A. Marcatura sulla cassa: K2645. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31