Transistor a canale N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Transistor a canale N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.68fr
5-24
3.41fr
25-49
3.21fr
50+
3.02fr
Quantità in magazzino: 26

Transistor a canale N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10uA. Id(imp): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 70 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2651
27 parametri
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
6A
Idss (massimo)
500uA
Rds sulla resistenza attiva
1.78 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F15
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
900pF
Costo)
130pF
Funzione
Commutazione ad alta velocità
ID (min)
10uA
Id(imp)
24A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
70 ns
Tecnologia
FAP-IIS Series
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3.5V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Fuji Electric