Transistor a canale N 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V

Transistor a canale N 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.23fr
5-49
1.02fr
50-99
0.86fr
100+
0.76fr
Quantità in magazzino: 64

Transistor a canale N 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. ID (T=25°C): 2A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 280pF. Costo): 58pF. Diodo Trr (min.): 410 ns. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Id(imp): 6A. Marcatura sulla cassa: K2715. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: ROHM. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2715TL
27 parametri
ID (T=25°C)
2A
Ids
100uA
Idss (massimo)
2A
Rds sulla resistenza attiva
3 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
280pF
Costo)
58pF
Diodo Trr (min.)
410 ns
Funzione
Velocità di commutazione rapida
Id(imp)
6A
Marcatura sulla cassa
K2715
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
20W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
ROHM