Transistor a canale N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Transistor a canale N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.41fr
5-9
7.65fr
10-24
7.08fr
25+
6.68fr
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Esaurito
Equivalenza disponibile

Transistor a canale N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.87 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 950pF. Costo): 140pF. Diodo Trr (min.): 900ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10uA. Id(imp): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 110 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura di funzionamento: -...+150°. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2850
27 parametri
ID (T=25°C)
6A
Idss (massimo)
200uA
Rds sulla resistenza attiva
1.87 Ohms
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
950pF
Costo)
140pF
Diodo Trr (min.)
900ns
Funzione
Commutazione ad alta velocità
ID (min)
10uA
Id(imp)
24A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
125W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
110 ns
Tecnologia
TT-MOSV
Temperatura di funzionamento
-...+150°
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
2.5V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Fuji Electric

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