Transistor a canale N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor a canale N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.49fr
5-24
3.08fr
25-49
2.79fr
50-99
2.59fr
100+
2.51fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 4

Transistor a canale N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 550pF. Costo): 115pF. Diodo Trr (min.): 1.3us. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Id(imp): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Nec. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3114
27 parametri
ID (T=25°C)
4A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
1.6 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
550pF
Costo)
115pF
Diodo Trr (min.)
1.3us
Funzione
MOSFET di commutazione POWER, uso industriale
Id(imp)
16A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
35 ns
Tecnologia
transistor MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensione gate/source (spenta) min.
2.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Nec

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