Transistor a canale N 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Diodo Trr (min.): 270 ns. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. ID (min): 10uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 55 ns. Td(spento): 190 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03