Transistor a canale N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor a canale N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.09fr
5-9
2.71fr
10-24
2.45fr
25-49
2.29fr
50+
2.03fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 59

Transistor a canale N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 550pF. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3563
27 parametri
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
5A
Ids
100uA
Idss (massimo)
5A
Rds sulla resistenza attiva
1.35 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
550pF
Costo)
70pF
Diodo Trr (min.)
1400 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
20A
Marcatura sulla cassa
K3563
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
50 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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