Transistor a canale N 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor a canale N 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.29fr
5-9
2.01fr
10-24
1.78fr
25-49
1.64fr
50+
1.46fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 60

Transistor a canale N 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Diodo Trr (min.): 900ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 70 ns. Td(spento): 170 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3565
29 parametri
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
5A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
2 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1150pF
Costo)
100pF
Diodo Trr (min.)
900ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
15A
Marcatura sulla cassa
K3565
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
70 ns
Td(spento)
170 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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