Transistor a canale N 2SK363, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.93fr
5-24
4.07fr
25-49
3.46fr
50+
3.15fr
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| Esaurito |
Transistor a canale N 2SK363, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Ids: 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Costo): 75pF. Diodo Trr (min.): 850 ns. Numero di terminali: 3. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 125 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31
2SK363
19 parametri
Ids
100uA
Rds sulla resistenza attiva
3.7 Ohms
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
700pF
Costo)
75pF
Diodo Trr (min.)
850 ns
Numero di terminali
3
Protezione GS
sì
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Td(acceso)
60 ns
Td(spento)
125 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Toshiba