Transistor a canale N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Diodo Trr (min.): 3.2us. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 36A. Marcatura sulla cassa: K3679. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25