Transistor a canale N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.31 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 430pF. Costo): 60pF. Diodo Trr (min.): 1us. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 14.8A. Marcatura sulla cassa: K3699. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 32 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25