Transistor a canale N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

Transistor a canale N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.72fr
5-9
4.21fr
10-24
3.86fr
25-49
3.61fr
50+
3.21fr
Quantità in magazzino: 24

Transistor a canale N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2200pF. Costo): 190pF. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): -. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3799. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 65 ns. Td(spento): 120ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3799
29 parametri
ID (T=25°C)
8A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
1 Ohm
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F ( SC-67 )
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2200pF
Costo)
190pF
Diodo Trr (min.)
1700 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
24A
Marcatura sulla cassa
K3799
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
65 ns
Td(spento)
120ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba