Transistor a canale N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Transistor a canale N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.41fr
5-14
3.87fr
15-24
3.47fr
25-49
3.14fr
50+
2.69fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 3

Transistor a canale N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 45pF. Diodo Trr (min.): 1.4us. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. ID (min): 1uA. Id(imp): 27A. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(acceso): 65 ns. Td(spento): 120ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3878
33 parametri
ID (T=100°C)
5.3A
ID (T=25°C)
9A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
1 Ohm
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2200pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
45pF
Diodo Trr (min.)
1.4us
Funzione
Applicazioni dei regolatori di commutazione
ID (min)
1uA
Id(imp)
27A
Marcatura sulla cassa
K3878
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA)
Td(acceso)
65 ns
Td(spento)
120ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
25
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

Prodotti e/o accessori equivalenti per 2SK3878