Transistor a canale N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 7pF. Costo): 5.9pF. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52