Transistor a canale N AO3404A, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor a canale N AO3404A, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.24fr
5-24
0.18fr
25-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100+
0.12fr
Quantità in magazzino: 93

Transistor a canale N AO3404A, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 23.4m Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 621pF. Costo): 118pF. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 4.5 ns. Td(spento): 15.1 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52

Documentazione tecnica (PDF)
AO3404A
29 parametri
ID (T=100°C)
4.9A
ID (T=25°C)
5.8A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
23.4m Ohms
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
621pF
Costo)
118pF
Diodo Trr (min.)
15.5 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
30A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.4W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
4.5 ns
Td(spento)
15.1 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors