Transistor a canale N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor a canale N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.20fr
5-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100-199
0.12fr
200+
0.11fr
Quantità in magazzino: 260

Transistor a canale N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 18M Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1160pF. Costo): 187pF. Diodo Trr (min.): 17.7 ns. Funzione: Carica di input bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Protezione ESD. Td(acceso): 6.2 ns. Td(spento): 51.7 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52

Documentazione tecnica (PDF)
AO3416
31 parametri
ID (T=100°C)
5.2A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
18M Ohms
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1160pF
Costo)
187pF
Diodo Trr (min.)
17.7 ns
Funzione
Carica di input bassa
ID (min)
1uA
Id(imp)
30A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.4W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Protezione ESD
Td(acceso)
6.2 ns
Td(spento)
51.7 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
1V
Vgs(esimo) min.
0.4V
Voltaggio gate/source Vgs
8V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors