Transistor a canale N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.29fr
5-24
1.10fr
25-49
0.94fr
50-99
0.81fr
100+
0.66fr
Quantità in magazzino: 60

Transistor a canale N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0047 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 6060pF. Costo): 638pF. Diodo Trr (min.): 33.5 ns. Funzione: Low side switch in Notebook CPU core power converter. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Resistenza del gate ultrabassa. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 51.5 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:52

Documentazione tecnica (PDF)
AO4430
31 parametri
ID (T=100°C)
15A
ID (T=25°C)
18A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0047 Ohms
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
6060pF
Costo)
638pF
Diodo Trr (min.)
33.5 ns
Funzione
Low side switch in Notebook CPU core power converter
ID (min)
1uA
Id(imp)
80A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
3W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Resistenza del gate ultrabassa
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
51.5 ns
Tecnologia
"Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors