Transistor a canale N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V
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Transistor a canale N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.71 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 962pF. Carica: 13.1nC. Costo): 98pF. DRUCE CORRENTE: 5.7A. Diodo Trr (min.): 332ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Polarità: unipolari. Potenza: 178W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 55 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±30V. Tensione drain-source: 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25