Transistor a canale N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor a canale N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.60fr
5-24
1.38fr
25-49
1.22fr
50-99
1.08fr
100+
0.89fr
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Transistor a canale N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.71 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 962pF. Carica: 13.1nC. Costo): 98pF. DRUCE CORRENTE: 5.7A. Diodo Trr (min.): 332ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Polarità: unipolari. Potenza: 178W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 55 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±30V. Tensione drain-source: 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

AOD9N50
33 parametri
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.71 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaggio Vds(max)
500V
migliorato
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
962pF
Carica
13.1nC
Costo)
98pF
DRUCE CORRENTE
5.7A
Diodo Trr (min.)
332ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
27A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
178W
Polarità
unipolari
Potenza
178W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
24 ns
Td(spento)
55 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±30V
Tensione drain-source
500V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3.3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v