Transistor a canale N AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V

Transistor a canale N AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.01fr
5-24
1.75fr
25-49
1.56fr
50+
1.42fr
Quantità in magazzino: 3

Transistor a canale N AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2850pF. Costo): 258pF. Diodo Trr (min.): 19 ns. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. ID (min): 1uA. Id(imp): 170A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 29 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AON6246
30 parametri
ID (T=100°C)
51A
ID (T=25°C)
80A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
5.3m Ohms
Alloggiamento
PowerPAK SO-8
Custodia (secondo scheda tecnica)
PowerSO-8 ( DFN5X6 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2850pF
Costo)
258pF
Diodo Trr (min.)
19 ns
Funzione
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
ID (min)
1uA
Id(imp)
170A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
83W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
8 ns
Td(spento)
29 ns
Tecnologia
"Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors