Transistor a canale N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.99fr
5-24
0.85fr
25-49
0.75fr
50-99
0.68fr
100+
0.58fr
Quantità in magazzino: 74

Transistor a canale N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1700pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 37 ns. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. ID (min): 1uA. Id(imp): 90A. Marcatura sulla cassa: 9971GH. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 3000. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:35

Documentazione tecnica (PDF)
AP9971GH
33 parametri
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
25A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1700pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
160pF
Diodo Trr (min.)
37 ns
Funzione
Commutazione rapida, inverter, alimentatori
ID (min)
1uA
Id(imp)
90A
Marcatura sulla cassa
9971GH
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
39W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
26 ns
Tecnologia
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
3000
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Advanced Power