Transistor a canale N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v

Transistor a canale N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.16fr
5-24
1.04fr
25-49
0.98fr
50-99
0.92fr
100+
0.81fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 41

Transistor a canale N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Funzione: HF-VHF. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BF245B
25 parametri
ID (T=25°C)
25mA
Idss (massimo)
15mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4pF
Costo)
1.6pF
Funzione
HF-VHF
ID (min)
6mA
IGF
10mA
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
3.8V
Tensione gate/source (spenta) min.
1.6V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
JFET
Voltaggio gate/source Vgs
8V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors

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