Transistor a canale N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Transistor a canale N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.24fr
5-24
0.19fr
25-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100+
0.12fr
Quantità in magazzino: 319

Transistor a canale N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 18mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 18V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3pF. Costo): 1.2pF. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. ID (min): 2mA. Marcatura sulla cassa: M90. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

BF990A
21 parametri
ID (T=25°C)
30mA
Idss (massimo)
18mA
Alloggiamento
SOT-143
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-143
Voltaggio Vds(max)
18V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
3pF
Costo)
1.2pF
Funzione
Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V
ID (min)
2mA
Marcatura sulla cassa
M90
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200mW
Protezione GS
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
Tecnologia
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors