Transistor a canale N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

Transistor a canale N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.41fr
5-24
0.34fr
25-49
0.30fr
50-99
0.27fr
100+
0.23fr
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Transistor a canale N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Alloggiamento: SOT-143. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 15mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 12V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2.1pF. Costo): 1.1pF. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. ID (min): 5mA. Marcatura sulla cassa: MOS. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BF998
23 parametri
Alloggiamento
SOT-143
ID (T=25°C)
30mA
Idss (massimo)
15mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-143
Voltaggio Vds(max)
12V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2.1pF
Costo)
1.1pF
Funzione
Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V
ID (min)
5mA
Marcatura sulla cassa
MOS
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies