Transistor a canale N BS170_D27Z, TO-92, 60V

Transistor a canale N BS170_D27Z, TO-92, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-99
0.37fr
100+
0.25fr
Quantità in magazzino: 3763

Transistor a canale N BS170_D27Z, TO-92, 60V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 24pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.3A. Marcatura del produttore: BS170_D27Z. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45

BS170_D27Z
16 parametri
Alloggiamento
TO-92
Tensione drain-source Uds [V]
60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.2 Ohms @ 0.2A
Capacità del gate Ciss [pF]
24pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
0.83W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
0.3A
Marcatura del produttore
BS170_D27Z
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
10 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
10 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
3V
Prodotto originale del produttore
Onsemi (fairchild)