Transistor a canale N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 250pF. Costo): 88pF. Diodo Trr (min.): 69 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 10nA. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31