Transistor a canale N BSP135, SOT-223, 600V

Transistor a canale N BSP135, SOT-223, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-24
1.92fr
25+
1.59fr
Quantità in magazzino: 234

Transistor a canale N BSP135, SOT-223, 600V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Capacità del gate Ciss [pF]: 146pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.1A. Marcatura del produttore: BSP135. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.1V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45

Documentazione tecnica (PDF)
BSP135
16 parametri
Alloggiamento
SOT-223
Tensione drain-source Uds [V]
600V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
60 Ohms @ 0.01A
Capacità del gate Ciss [pF]
146pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
1.8W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
0.1A
Marcatura del produttore
BSP135
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
42 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
8.1 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
2.1V
Prodotto originale del produttore
Infineon