Transistor a canale N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. ID (T=25°C): 150mA. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 23pF. Caratteristiche: -. Costo): 6pF. DRUCE CORRENTE: 170mA. Diodo Trr (min.): 11 ns. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. ID (min): 10uA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 150mA. Id(imp): 600mA. Informazioni: -. MSL: 1. Marcatura del produttore: BSS123-7-F. Marcatura sulla cassa: SA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Polarità: unipolari. Potenza: 360mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RDS su (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Resistenza allo stato: 6 Ohms. RoHS: sì. Serie: -. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di azionamento: -. Tensione drain-source: 100V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Tensione gate/source Vgs max: ±20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31