Transistor a canale N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Transistor a canale N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.36fr
5-49
1.24fr
50-99
1.16fr
100+
1.08fr
Quantità in magazzino: 14

Transistor a canale N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT54. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 25pF. Costo): 8.5pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Very fast switching, Logic level compatible. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BST72A
25 parametri
ID (T=25°C)
0.19A
Idss (massimo)
1uA
Rds sulla resistenza attiva
5 Ohms
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT54
Voltaggio Vds(max)
100V
C(in)
25pF
Costo)
8.5pF
Diodo Trr (min.)
30 ns
Funzione
Very fast switching, Logic level compatible
ID (min)
0.01uA
Id(imp)
0.8A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.83W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
3 ns
Td(spento)
12 ns
Tecnologia
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors