Transistor a canale N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 25pF. Costo): 8.5pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Commutazione molto veloce. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: compatibile con il livello logico. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31