Transistor a canale N BTS432E2E3062A, D²-PAK/5, TO-263, 42V. Alloggiamento: D²-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Capacità del gate Ciss [pF]: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 11A. Marcatura del produttore: BTS432E2-SMD. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80us. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 300us. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06