Transistor a canale N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Transistor a canale N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.41fr
5-24
1.23fr
25-49
1.11fr
50-99
1.01fr
100+
0.87fr
Quantità in magazzino: 31

Transistor a canale N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-78 ( TO220AB ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 440pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 90pF. Diodo Trr (min.): 33 ns. Funzione: Settore automobilistico, commutazione di potenza, motore da 12 V e 24 V. ID (min): 0.05uA. Id(imp): 81A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)
BUK9575-55A
33 parametri
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
500uA
Rds sulla resistenza attiva
0.064 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-78 ( TO220AB )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
440pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
90pF
Diodo Trr (min.)
33 ns
Funzione
Settore automobilistico, commutazione di potenza, motore da 12 V e 24 V
ID (min)
0.05uA
Id(imp)
81A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
62W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
28 ns
Tecnologia
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Temperatura
+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
10V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors