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Transistor a canale N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.00fr
5-49
0.83fr
50-99
0.76fr
100+
0.72fr
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Transistor a canale N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (massimo): 2.1A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: <100/220ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: V-MOS (F). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: --. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57
BUZ80AF
12 parametri
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.1A
Idss (massimo)
2.1A
Rds sulla resistenza attiva
3 Ohms
Voltaggio Vds(max)
800V
Funzione
Transistor MOSFET N
Nota
<100/220ns
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
V-MOS (F)
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET