Transistor a canale N CM200DY-24H, 200A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 40pF. Corrente del collettore: 200A. Costo): 14pF. Dimensioni: 108x62x31mm. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: Doppio transistor IGBT (isolato). Ic(impulso): 400A. Numero di terminali: 7. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1500W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta potenza. Td(acceso): 250 ns. Td(spento): 300 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:27