Transistor a canale N DF600R12IP4D, 600A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 37pF. Corrente del collettore: 600A. Dimensioni: 172x89x37mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Ic(impulso): 1200A. Numero di terminali: 10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3350W. RoHS: sì. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(acceso): 0.21 ns. Td(spento): 0.7 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:27