Transistor a canale N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V
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Transistor a canale N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 590/631pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 6A/-4.2A. Marcatura del produttore: C3025LS. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.2V/-2V. Prodotto originale del produttore: Diodes Zetex. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:25