Transistor a canale N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.40fr
5-9
0.87fr
10-19
0.75fr
20-49
0.69fr
50+
0.64fr
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Transistor a canale N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Alloggiamento: SSOT-6, SuperSOT-6. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 3.2nC. DRUCE CORRENTE: 2.5A. Polarità: unipolari. Potenza: 0.96W. RoHS: sì. Tecnologia: PowerTrench®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di transistor: N-MOSFET x2. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22
FDC6561AN
13 parametri
Alloggiamento
SSOT-6, SuperSOT-6
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
3.2nC
DRUCE CORRENTE
2.5A
Polarità
unipolari
Potenza
0.96W
RoHS
sì
Tecnologia
PowerTrench®
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
30V
Tipo di transistor
N-MOSFET x2
Prodotto originale del produttore
Onsemi