Transistor a canale N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.85fr
5-49
2.71fr
50-99
2.58fr
100+
2.28fr
Quantità in magazzino: 293

Transistor a canale N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0088 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 25 ns. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:19

FDD6296
22 parametri
ID (T=25°C)
50A
Idss (massimo)
1uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0088 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo Trr (min.)
25 ns
Id(imp)
100A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
52W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
PowerTrench MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor