Transistor a canale N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V

Transistor a canale N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.54fr
5-24
1.35fr
25-49
1.19fr
50-99
1.10fr
100-199
0.98fr
200+
0.95fr
Quantità in magazzino: 64

Transistor a canale N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 61m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 575pF. Costo): 64pF. Diodo Trr (min.): 56.4 ns. Funzione: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. ID (min): 1uA. Id(imp): 36A. Nota: High performance trench technology. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56.8W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Td(acceso): 10.3 ns. Td(spento): 15.8 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:19

FDD770N15A
32 parametri
ID (T=100°C)
11.4A
ID (T=25°C)
18A
Idss (massimo)
500uA
Rds sulla resistenza attiva
61m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
575pF
Costo)
64pF
Diodo Trr (min.)
56.4 ns
Funzione
Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille
ID (min)
1uA
Id(imp)
36A
Nota
High performance trench technology
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
56.8W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
resistenza RDS(on) estremamente bassa
Td(acceso)
10.3 ns
Td(spento)
15.8 ns
Tecnologia
PowerTrench MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild