Transistor a canale N FDN335N, SuperSOT-3
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.86fr
5-9
0.54fr
10-19
0.42fr
20-49
0.36fr
50+
0.32fr
| Quantità in magazzino: 50 |
Transistor a canale N FDN335N, SuperSOT-3. Alloggiamento: SuperSOT-3. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 5nC. DRUCE CORRENTE: 1.7A. Polarità: unipolari. Potenza: 0.5W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. RoHS: sì. Tecnologia: PowerTrench®. Tensione di gate-source: ±8V. Tensione drain-source: 20V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:09
FDN335N
14 parametri
Alloggiamento
SuperSOT-3
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
5nC
DRUCE CORRENTE
1.7A
Polarità
unipolari
Potenza
0.5W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
RoHS
sì
Tecnologia
PowerTrench®
Tensione di gate-source
±8V
Tensione drain-source
20V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Onsemi