Transistor a canale N FDS6670A, SO8, 30 v. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Capacità del gate Ciss [pF]: 2220pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 13A. Marcatura del produttore: FDS6670A. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 64 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06