Transistor a canale N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 19m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 475pF. Carica: 13nC. Costo): 100pF. DRUCE CORRENTE: 8.5A. Diodo Trr (min.): 33 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 40A. Numero di output: 1. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 5 ns. Td(spento): 42 ns. Tecnologia: MOSFET, PowerTrench®. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41