Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V

Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V

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Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.68A. Marcatura del produttore: 303. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 31/12/2025, 08:53

Documentazione tecnica (PDF)
FDV303N
16 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Tensione drain-source Uds [V]
25V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.44 Ohms @ 0.2A
Capacità del gate Ciss [pF]
50pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.35W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
0.68A
Marcatura del produttore
303
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
30 ns
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
6 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
1V
Prodotto originale del produttore
Onsemi (fairchild)