Transistor a canale N FP25R12W2T4, 25A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1.45pF. Corrente del collettore: 39A. Dimensioni: 56.7x48x12mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Ic(impulso): 50A. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Numero di terminali: 33dB. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. RoHS: sì. Td(acceso): 0.08 ns. Td(spento): 0.46 ns. Tecnologia: Modulo ibrido IGBT. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Eupec/infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41