Transistor a canale N FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2800pF. Costo): 350pF. Diodo Trr (min.): 420 ns. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). ID (min): 10uA. Id(imp): 74A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 65 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41