Transistor a canale N FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.258 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 220pF. Costo): 55pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Tariffa di gate bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 5.8A. Marcatura sulla cassa: FQD7N10L. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 17 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41