Transistor a canale N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.53 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. C(in): 1760pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2290pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 182pF. Diodo Trr (min.): 420 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 225W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 12A. Id(imp): 48A. Marcatura del produttore: FQP12N60C. Marcatura sulla cassa: FQP12N60C. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 280 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 140 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 70 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41