Transistor a canale N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 345pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 100pF. Diodo Trr (min.): 72 ns. Funzione: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. ID (min): 1uA. Id(imp): 51.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Peso: 2.07g. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 5 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41